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600668071V424S15YGI8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V424S15YGI8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V424S15YGI8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    36-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    IDT71V424S15YGI8
    IDT71V424S15YGI8-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 15ns 36-SOJ
  • Basisteilenummer
    IDT71V424
  • Zugriffszeit
    15ns
Y14870R02000F0R

Y14870R02000F0R

Beschreibung: RES SMD 0.02 OHM 1% 1W 2512

Hersteller: Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precisio
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DSS4160TQ-7

DSS4160TQ-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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