71V416L10YGI

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Spezifikation

Artikelnummer

71V416L10YGI
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

71V416L10YGI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

10ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

44-SOJ
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

IDT71V416L10YGI
IDT71V416L10YGI-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ
Basisteilenummer

IDT71V416
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "71V416L10YGI" -Einziper.

71V416L10YG

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

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