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443220371V35761S183PFG8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V35761S183PFG8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V35761S183PFG8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-TQFP (14x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    100-LQFP
  • Andere Namen
    IDT71V35761S183PFG8
    IDT71V35761S183PFG8-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4.5Mb (128K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 183MHz 3.3ns 100-TQFP (14x14)
  • Uhrfrequenz
    183MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71V35761
  • Zugriffszeit
    3.3ns
RMCF2010FT1R60

RMCF2010FT1R60

Beschreibung: RES 1.6 OHM 1% 3/4W 2010

Hersteller: Stackpole Electronics, Inc.
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