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226020371V256SA12YG-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V256SA12YG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V256SA12YG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Andere Namen
    800-1466
    800-1466-5
    800-1466-ND
    IDT71V256SA12YG
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 12ns 28-SOJ
  • Basisteilenummer
    IDT71V256
  • Zugriffszeit
    12ns
71V256SA15PZGI

71V256SA15PZGI

Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V2556SA166BG

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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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71V256SA12PZGI8

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71V256S12YG8

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71V256S10YG8

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71V256S10YG

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71V256SA12PZG

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71V256SA15YG8

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71V256SA12YGI

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