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306763671V124SA10TYG-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V124SA10TYG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V124SA10TYG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    3.15 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    32-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Andere Namen
    IDT71V124SA10TYG
    IDT71V124SA10TYG-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-SOJ
  • Basisteilenummer
    IDT71V124
  • Zugriffszeit
    10ns
MTSW-104-06-T-S-125

MTSW-104-06-T-S-125

Beschreibung: MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN

Hersteller: Samtec, Inc.
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