71T75802S200PFG8

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Spezifikation

Artikelnummer

71T75802S200PFG8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

71T75802S200PFG8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.375 V ~ 2.625 V
Technologie

SRAM - Synchronous ZBT
Supplier Device-Gehäuse

100-TQFP (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

100-LQFP
Andere Namen

IDT71T75802S200PFG8
IDT71T75802S200PFG8-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.2ns 100-TQFP (14x14)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

IDT71T75
Zugriffszeit

3.2ns

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Das Folgende sind "71T75802S200PFG8" -Einziper.

71T75902S75PFG

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

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