70V657S15DR

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Spezifikation

Artikelnummer

70V657S15DR
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70V657S15DR.pdf
2.70V657S15DR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-PQFP (28x28)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

208-BFQFP
Andere Namen

IDT70V657S15DR
IDT70V657S15DR-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 15ns 208-PQFP (28x28)
Basisteilenummer

IDT70V657
Zugriffszeit

15ns

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Das Folgende sind "70V657S15DR" -Einziper.

70V658S10BCG

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S15DR

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