70V639S12PRF

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Spezifikation

Artikelnummer

70V639S12PRF
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70V639S12PRF.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

128-TQFP (14x20)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

128-LQFP
Andere Namen

IDT70V639S12PRF
IDT70V639S12PRF-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 12ns 128-TQFP (14x20)
Basisteilenummer

IDT70V639
Zugriffszeit

12ns

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Das Folgende sind "70V639S12PRF" -Einziper.

70V639S12BCI

Beschreibung: IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V639S12PRF

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