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333108170V3589S133DRG-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

70V3589S133DRG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70V3589S133DRG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    208-BFQFP
  • Andere Namen
    IDT70V3589S133DRG
    IDT70V3589S133DRG-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    IDT70V3589
  • Zugriffszeit
    4.2ns
8-2151363-4

8-2151363-4

Beschreibung: OC-PMC-AT-PA-S-F-MA

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
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