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517403370V3579S5DR-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5DR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70V3579S5DR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    208-BFQFP
  • Andere Namen
    IDT70V3579S5DR
    IDT70V3579S5DR-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 208-PQFP (28x28)
  • Basisteilenummer
    IDT70V3579
  • Zugriffszeit
    5ns
70V3579S6DR

70V3579S6DR

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S6BF

70V3579S6BF

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

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vorrätig
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

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70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

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70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

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70V3589S133BC

70V3589S133BC

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

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70V3579S6BCI8

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70V3579S6BC

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70V3579S6BC8

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70V3589S133BC8

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