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70211270V3579S4DR-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S4DR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70V3579S4DR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    208-BFQFP
  • Andere Namen
    IDT70V3579S4DR
    IDT70V3579S4DR-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 208-PQFP (28x28)
  • Basisteilenummer
    IDT70V3579
  • Zugriffszeit
    4.2ns
97-3107B20-6P-940

97-3107B20-6P-940

Beschreibung: AB 3C 3#16 PIN PLUG

Hersteller: Amphenol Industrial
vorrätig

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