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642587770V3569S5BC-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

70V3569S5BC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70V3569S5BC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    256-LBGA
  • Andere Namen
    IDT70V3569S5BC
    IDT70V3569S5BC-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    576Kb (16K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
  • Basisteilenummer
    IDT70V3569
  • Zugriffszeit
    5ns
1812Y1K00390KFR

1812Y1K00390KFR

Beschreibung: CAP CER 39PF 1KV C0G/NP0 1812

Hersteller: Knowles Syfer
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