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70V3399S133BFGI8

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Spezifikation

Artikelnummer

70V3399S133BFGI8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

70V3399S133BFGI8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-CABGA (15x15)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

208-LFBGA
Andere Namen

IDT70V3399S133BFGI8
IDT70V3399S133BFGI8-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (128K x 18) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15)
Uhrfrequenz

133MHz
Basisteilenummer

IDT70V3399
Zugriffszeit

4.2ns

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Das Folgende sind "70V3399S133BFGI8" -Einziper.

70V3399S166BF8

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V3399S133BFGI8

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