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70V27S55PF

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Spezifikation

Artikelnummer

70V27S55PF
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70V27S55PF.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

55ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

100-TQFP (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

100-LQFP
Andere Namen

IDT70V27S55PF
IDT70V27S55PF-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Kb (32K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 512Kb (32K x 16) Parallel 55ns 100-TQFP (14x14)
Basisteilenummer

IDT70V27
Zugriffszeit

55ns

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Das Folgende sind "70V27S55PF" -Einziper.

70V27S35PF

Beschreibung: IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V27S55PF

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