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70T633S10BFG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70T633S10BFG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    208-CABGA (15x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    208-LFBGA
  • Andere Namen
    IDT70T633S10BFG
    IDT70T633S10BFG-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
  • Basisteilenummer
    IDT70T633
  • Zugriffszeit
    10ns
M40-3101045R

M40-3101045R

Beschreibung: CONN HDR FMAL 20PS 1MM DL AU SMD

Hersteller: Harwin
vorrätig

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