Zuhause > Produkte > Integrierte Schaltungen (ICs) > Memory > 70T3589S133DR
Online-Anfrage
Deutsch
632039570T3589S133DR-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

70T3589S133DR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    70T3589S133DR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    208-BFQFP
  • Andere Namen
    IDT70T3589S133DR
    IDT70T3589S133DR-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    IDT70T3589
  • Zugriffszeit
    4.2ns
LT3032IDE#TRPBF

LT3032IDE#TRPBF

Beschreibung:

Hersteller: ADI (Analog Devices, Inc.)
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden