70T3519S166DR

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Spezifikation

Artikelnummer

70T3519S166DR
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70T3519S166DR.pdf
2.70T3519S166DR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.4 V ~ 2.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-PQFP (28x28)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

208-BFQFP
Andere Namen

IDT70T3519S166DR
IDT70T3519S166DR-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 166MHz 3.6ns 208-PQFP (28x28)
Uhrfrequenz

166MHz
Basisteilenummer

IDT70T3519
Zugriffszeit

3.6ns

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Zahlungsmittel

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "70T3519S166DR" -Einziper.

70T3519S166BF

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70T3519S166DR

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