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544049370T3339S200BC8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

70T3339S200BC8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70T3339S200BC8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    256-LBGA
  • Andere Namen
    IDT70T3339S200BC8
    IDT70T3339S200BC8-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    IDT70T3339
  • Zugriffszeit
    3.4ns
SIT9120AI-2C3-33E106.250000X

SIT9120AI-2C3-33E106.250000X

Beschreibung: OSC MEMS 106.25MHZ LVDS SMD

Hersteller: SiTime
vorrätig

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