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70T3339S133BFGI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70T3339S133BFGI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    208-CABGA (15x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    208-LFBGA
  • Andere Namen
    IDT70T3339S133BFGI
    IDT70T3339S133BFGI-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    IDT70T3339
  • Zugriffszeit
    4.2ns
562A011-25/225-CS-2125-0

562A011-25/225-CS-2125-0

Beschreibung: TFIT POLY MOLDED P

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
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