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7006S70GB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    7006S70GB
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    70ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    68-PGA (29.46x29.46)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    68-BPGA
  • Andere Namen
    IDT7006S70GB
    IDT7006S70GB-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Kb (16K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (16K x 8) Parallel 70ns 68-PGA (29.46x29.46)
  • Zugriffszeit
    70ns
Y078580R3100T9L

Y078580R3100T9L

Beschreibung: RES 80.31 OHM 0.6W 0.01% RADIAL

Hersteller: Vishay Precision Group
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