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6592908LSIC2SD120C05-Bild.Hamlin / Littelfuse

LSIC2SD120C05

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    LSIC2SD120C05
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.8V @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252, (D-Pak)
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    Gen2
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    F10086TR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    25 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 18.1A (DC) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    18.1A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    310pF @ 1V, 1MHz
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
SF38GHR0G

SF38GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
BAS20LT1

BAS20LT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS 3005B-02V E6327

BAS 3005B-02V E6327

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
VS-ETH1506SHM3

VS-ETH1506SHM3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2BHR5G

ES2BHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
VS-30ETH06STRRPBF

VS-30ETH06STRRPBF

Beschreibung: DIODE FRED 30A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
1N3294

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Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SDURB1030TR

SDURB1030TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V D2PAK

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
R5000610XXWA

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Beschreibung: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Beschreibung: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Beschreibung: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Beschreibung: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
CMG06(TE12L,Q,M)

CMG06(TE12L,Q,M)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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