GP1M005A050PH

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M005A050PH
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M005A050PH.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
Verlustleistung (max)

92.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

627pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 4.5A (Tc) 92.5W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M005A050PH" -Einziper.

GP1M006A070FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050PH

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