Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S6QR
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1309947S6QR-Bild.GeneSiC Semiconductor

S6QR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
200+
$4.69
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S6QR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    6A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    1242-1241
    S6QRGN
    S6QRGN-ND
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S6QR
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard, Reverse Polarity 1200V (1.2kV) 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 6A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
VS-30WQ06FNTRLHM3

VS-30WQ06FNTRLHM3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6631US

1N6631US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
B180-13

B180-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SBR140LP-7

SBR140LP-7

Beschreibung: DIODE SBR 40V 1A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
6A10B-G

6A10B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
STPS1L60RL

STPS1L60RL

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
PM6

PM6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
SR006 A0G

SR006 A0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 500MA DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
APT30D20BG

APT30D20BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
AR3PKHM3_A/H

AR3PKHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DSS2-60AT2AP

DSS2-60AT2AP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3

Hersteller: IXYS
vorrätig
VS-VSKE91/10

VS-VSKE91/10

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 100A ADDAPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RL107-N-0-1-BP

RL107-N-0-1-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-405

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RS2D M4G

RS2D M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
MBR20200FCTE3/TU

MBR20200FCTE3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 200V ITO220AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SF10FG-A

SF10FG-A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
6TQ035STRL

6TQ035STRL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 6A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
FFP08S60SNTU

FFP08S60SNTU

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S6Q

S6Q

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
R3000F-TP

R3000F-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3KV 200MA DO15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden