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194964MURTA20060-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURTA20060
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 100A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100A
MURTA20020R

MURTA20020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA20060R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

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MURTA300120

MURTA300120

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA30040

MURTA30040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA20040

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

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MURT40060R

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Beschreibung: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

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MURTA400120

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Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

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Beschreibung: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

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