GA16JT17-247

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Spezifikation

Artikelnummer

GA16JT17-247
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GA16JT17-247.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

-
Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 16A
Verlustleistung (max)

282W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

1242-1136
GA16JT17247
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

-
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1700V
detaillierte Beschreibung

1700V 16A (Tc) (90°C) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc) (90°C)

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "GA16JT17-247" -Einziper.

GA1210Y824MXJAR31G

Beschreibung: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GA16JT17-247

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