GA100JT17-227

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Spezifikation

Artikelnummer

GA100JT17-227
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GA100JT17-227.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

-
Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 100A
Verlustleistung (max)

535W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Andere Namen

1242-1314
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 800V
Typ FET

-
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1700V
detaillierte Beschreibung

1700V 160A (Tc) 535W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

160A (Tc)

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Das Folgende sind "GA100JT17-227" -Einziper.

GA10K3A1A

Beschreibung:

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity

vorrätig

GA100JT17-227

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