GA08JT17-247

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Spezifikation

Artikelnummer

GA08JT17-247
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GA08JT17-247.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

-
Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 8A
Verlustleistung (max)

48W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

1242-1135
GA08JT17247
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

-
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1700V
detaillierte Beschreibung

1700V 8A (Tc) (90°C) 48W (Tc) Through Hole TO-247AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc) (90°C)

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Das Folgende sind "GA08JT17-247" -Einziper.

GA0805Y823MBXBR31G

Beschreibung: CAP CER 0.082UF 25V X7R 0805

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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