ISL9R8120S3ST

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Spezifikation

Artikelnummer

ISL9R8120S3ST
Hersteller / Marke

Fairchild (onsemi)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ISL9R8120S3ST.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Spitzensperr- (max)

Standard
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

8A
Spannung - Durchschlag

TO-263AB
Serie

Stealth™
RoHS Status

Tape & Reel (TR)
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F

30pF @ 10V, 1MHz
Polarisation

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

ISL9R8120S3ST-ND
ISL9R8120S3STFSTR
Betriebstemperatur - Anschluss

300ns
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer

ISL9R8120S3ST
Expanded Beschreibung

Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
Diodenkonfiguration

100µA @ 1200V
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

3.3V @ 8A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

1200V (1.2kV)
Kapazität @ Vr, F

-55°C ~ 150°C

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Das Folgende sind "ISL9R8120S3ST" -Einziper.

ISL9R460PF2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

ISL9R8120S3ST

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