SI8261BAC-C-ISR

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8261BAC-C-ISR
Hersteller / Marke

Energy Micro (Silicon Labs)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8261BAC-C-ISR.pdf
ECAD -Modell
Spannungsversorgung

6.5 V ~ 30 V
Spannung - Isolation

3750Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

2.8V (Max)
Technologie

Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

5.5ns, 8.5ns
Pulsbreite Verzerrung (Max)

28ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)

60ns, 50ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

336-5206-2
SI8261BAC-C-ISR-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
Strom - Spitzenausgang

4A
Strom - hoch, niedrig

500mA, 1.2A
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

30mA
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)

35kV/µs
Zulassungen

CQC, CSA, UR, VDE

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2025/02/8

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Das Folgende sind "SI8261BAC-C-ISR" -Einziper.

SI8261ACD-C-IMR

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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