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SI5332H-D-GM3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI5332H-D-GM3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannungsversorgung
    1.71 V ~ 3.63 V
  • Art
    Clock Generator
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-QFN (6x6)
  • Serie
    MultiSynth™
  • Verhältnis - Eingang: Ausgang
    3:12
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFQFN Exposed Pad
  • PLL
    Yes
  • Ausgabe
    HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
  • Andere Namen
    336-5571
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C
  • Zahl der Schaltkreise
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingang
    LVCMOS, Crystal
  • Frequenz - Max
    200MHz
  • Teiler / Multiplikator
    Yes/No
  • Differenzial - Eingang: Ausgang
    Yes/Yes
SI53341-B-GM

SI53341-B-GM

Beschreibung: 2:4 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI53343-B-GM

SI53343-B-GM

Beschreibung: 2:6 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI5332G-D-GM3

SI5332G-D-GM3

Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 1

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI53341-B-GMR

SI53341-B-GMR

Beschreibung: 2:4 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI5332G-D-GM2

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 8

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vorrätig
SI5332H-D-GM2

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

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SI5332G-D-GM1

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 6

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SI5332F-D-GM2

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 8

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SI53340-B-GM

SI53340-B-GM

Beschreibung: IC BUFFER 2:4 LVDS MUX 16QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI53343-B-GMR

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Beschreibung: 2:6 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

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SI5332H-D-GM1

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

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SI53342-B-GM

SI53342-B-GM

Beschreibung: 2:6 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1 I

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SI5332E-D-GM2

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

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SI5332E-D-GM3

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI53342-B-GMR

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Beschreibung: 2:6 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1 I

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SI53340-B-GMR

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Beschreibung:

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SI5332F-D-GM1

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 6

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SI5332F-D-GM3

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Beschreibung: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 1

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI53344-B-GM

SI53344-B-GM

Beschreibung:

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SI53344-B-GMR

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Beschreibung: 2:10 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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