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6168040TH5E106K021A1000-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

TH5E106K021A1000

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TH5E106K021A1000
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    CAP TANT 10UF 21V 10% 2917
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TH5E106K021A1000.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Nennwert
    21V
  • Art
    Molded
  • Toleranz
    ±10%
  • Größe / Dimension
    0.287" L x 0.170" W (7.29mm x 4.32mm)
  • Serie
    TANTAMOUNT®, TH5
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    2917 (7343 Metric)
  • Andere Namen
    718-1898-1
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 200°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Größencode
    E
  • Lebensdauer @ Temp.
    -
  • Leiter-Abstand
    -
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Höhe - eingesteckt (max)
    0.169" (4.30mm)
  • Eigenschaften
    High Reliability
  • Fehlerrate
    -
  • ESR (Equivalent Series Resistance)
    1 Ohm
  • detaillierte Beschreibung
    10µF Molded Tantalum Capacitors 21V 2917 (7343 Metric) 1 Ohm
  • Kapazität
    10µF

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Das Folgende sind "TH5E106K021A1000" -Einziper.
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Beschreibung: 4G SLC NAND BGA 24NM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Beschreibung: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

Beschreibung: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

Beschreibung: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Beschreibung: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Beschreibung: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Beschreibung: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Beschreibung: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG2S3HTAI0

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

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