SUD50P04-08-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUD50P04-08-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUD50P04-08-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1 mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SUD50P04-08-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5380pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

159nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "SUD50P04-08-GE3" -Einziper.

SUD50P04-13L-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUD50P04-08-GE3

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