SQR40N10-25_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQR40N10-25_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQR40N10-25_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D2Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)

136W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3380pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Tc)

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Das Folgende sind "SQR40N10-25_GE3" -Einziper.

SQR620200

Beschreibung: CONN RECEPTACLE 6POS 20AWG

Hersteller: Amphenol Pcd

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