SQP100N04-3M6_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQP100N04-3M6_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SQP100N04-3M6_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

120W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 100A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "SQP100N04-3M6_GE3" -Einziper.

SQP10AJB-0R27

Beschreibung: RES 10W 5% AXIAL

Hersteller: Yageo

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