SQ4840EY-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQ4840EY-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 20.7A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQ4840EY-T1_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

7.1W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SQ4840EY-T1_GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2440pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 20.7A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20.7A (Tc)

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Das Folgende sind "SQ4840EY-T1_GE3" -Einziper.

SQ4431EY-T1_GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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