SIZ918DT-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIZ918DT-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIZ918DT-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-PowerPair® (6x5)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 13.8A, 10V
Leistung - max

29W, 100W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DTT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A, 28A
Basisteilenummer

SIZ918

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Das Folgende sind "SIZ918DT-T1-GE3" -Einziper.

SIZ916DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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