SISS42DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SISS42DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SISS42DN-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

4.8W (Ta), 57W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S
Andere Namen

SISS42DN-GE3
SISS42DN-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.8A (Ta), 40.5A (Tc)

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Das Folgende sind "SISS42DN-T1-GE3" -Einziper.

SISS27ADN-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: VISHAY

vorrätig

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