SIR770DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIR770DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIR770DP-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max

17.8W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Andere Namen

SIR770DP-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A

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Das Folgende sind "SIR770DP-T1-GE3" -Einziper.

SIR688DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR770DP-T1-GE3

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