SIHP17N60D-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHP17N60D-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SIHP17N60D-E3.pdf
2.SIHP17N60D-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)

277.8W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SIHP17N60DE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHP17N60D-E3" -Einziper.

SIHP12N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHP17N60D-E3

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