SIHG22N50D-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHG22N50D-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHG22N50D-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

312W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1938pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 22A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247AC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHG22N50D-E3" -Einziper.

SIHG17N60D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHG22N50D-E3

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