SI8802DB-T2-E1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8802DB-T2-E1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8802DB-T2-E1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-Microfoot
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

4-XFBGA
Andere Namen

SI8802DB-T2-E1DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

46 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

8V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 8V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "SI8802DB-T2-E1" -Einziper.

SI8816EDB-T2-E1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI8802DB-T2-E1

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