SI8457DB-T1-E1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8457DB-T1-E1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8457DB-T1-E1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

4-UFBGA
Andere Namen

SI8457DB-T1-E1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 8V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "SI8457DB-T1-E1" -Einziper.

SI8460AA-B-IS1

Beschreibung: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI8457DB-T1-E1

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