SI5429DU-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5429DU-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5429DU-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® ChipFet Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 31W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® ChipFET™ Dual
Andere Namen

SI5429DU-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "SI5429DU-T1-GE3" -Einziper.

SI5440DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5429DU-T1-GE3

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