SI4965DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4965DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4965DY-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 8A, 4.5V
Leistung - max

2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

8V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "SI4965DY-T1-E3" -Einziper.

SI4948BEY-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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