SI4485DY-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

$0.422

10+

$0.368

30+

$0.341

100+

$0.315

500+

$0.299

1000+

$0.29

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI4485DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4485DY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 5.9A, 10V
Verlustleistung (max)

2.4W (Ta), 5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4485DY-T1-GE3-ND
SI4485DY-T1-GE3TR
SI4485DYT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "SI4485DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4486EY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4485DY-T1-GE3

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Renesas Electronics Abandons SIC Power Chip -Produktionspla...

Ireland’s “Silicon Island” Plan: Strengthening Europe’s...

AMD erwirbt Silicon Photonics Chip Company Enoemi und stär...

AI Chip -Startup EdgeCortix erhält 3 Milliarden Yen -Subve...

WolfSpeed ​​Pläne Insolvenz, Renesas gegenüber 2 Millia...

Institution: Die erwarteten NAND-Flash-Preise werden im dri...

NVIDIA to Build Giant AI Supercomputer in Taiwan

Foxconn investiert 1,5 Milliarden US -Dollar, um seine Fabr...

Institution: Die Produktionsschwierigkeit von HBM4 hat mit ...

Crusoe Texas Data Center sammelt Finanzmittel in Höhe von ...

Siemens erwirbt EDA Software Developer Excellicon

SEMICON Southeast Asia 2025 Kicks Off in Singapore

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache

WolfSpeed Pläne Insolvenz, Renesas gegenüber 2 Millia...