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SI4463BDY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4463BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4463BDY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 13.7A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4463BDY-T1-GE3TR
SI4463BDYT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.8A (Ta)

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Das Folgende sind "SI4463BDY-T1-GE3" -Einziper.

SI4464DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4463BDY-T1-GE3

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