SI3460DV-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3460DV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3460DV-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 1mA (Min)
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.1A (Ta)

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Das Folgende sind "SI3460DV-T1-GE3" -Einziper.

SI3461-E02-GM

Beschreibung: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3460DV-T1-GE3

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