SI1469DH-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1469DH-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1469DH-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-70-6 (SOT-363)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SI1469DH-T1-GE3TR
SI1469DHT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.7A (Tc)

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Das Folgende sind "SI1469DH-T1-GE3" -Einziper.

SI1488DH-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI1469DH-T1-GE3

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