SI1071X-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1071X-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1071X-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.45V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

167 mOhm @ 960mA, 10V
Verlustleistung (max)

236mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SI1071X-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.3nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "SI1071X-T1-E3" -Einziper.

SI1070X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI1071X-T1-E3

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