SI1056X-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1056X-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1056X-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.32A, 4.5V
Verlustleistung (max)

236mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SI1056X-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "SI1056X-T1-E3" -Einziper.

SI1060-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI1056X-T1-E3

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